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2N7002A
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
BV DSS
60
70
?
V
V GS = 0V, I D = 10μA
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
@ T C = +25°C
@ T C = +125°C
I DSS
I GSS
?
?
?
?
1.0
500
±10
μA
μA
V DS = 60V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
V GS(th)
1.2
?
2.0
V
V DS = V GS , I D = 250μA
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
@ T J = +25°C
@ T J = +125°C
R DS(ON)
g FS
?
80
3.5
3.0
?
6
5
?
?
mS
V GS = 5.0V, I D = 0.115A
V GS = 10V, I D = 0.115A
V DS = 10V, I D = 0.115A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
C iss
?
23
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C oss
C rss
R G
?
?
??
3.4
1.4
260
?
?
400
pF
pF
?
V DS = 25V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 8)
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
t D(ON)
t D(OFF)
?
?
10
33
?
?
ns
ns
V DD = 30V, I D = 0.115A, R L = 150 ? ,
V GEN = 10V , R GEN = 25 ?
Notes:
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
0.6
1
V DS = 5V
0.5
0.4
0.3
0.1
Pulsed
0.2
T A = 150°C
0.1
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0.01
1
2 3 4
5
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
2N7002A
Document number: DS31360 Rev. 12 - 2
3 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
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